【米国ニューヨーク州アルバニーおよび日本・京都 - 2025年9月24日（現地時間）発】

株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズとIBMは本日、次世代EUVリソグラフィー向け洗浄プロセスの開発に関する契約を締結したことを発表しました。本契約は、現在のナノシート・デバイス技術を可能にした革新的な洗浄プロセスに関する共同開発の成果を基盤としています。

近年、先端半導体製造プロセスにおける微細化ニーズの高まりを受けて、EUV（極端紫外線）リソグラフィーの導入が加速しています。特に、次世代の露光技術であるHigh NA（高開口数）EUVは、2nm世代以降の微細化プロセスに不可欠な技術として注目されています。こうした先端EUV露光プロセスでは、これまで問題視されなかったようなウェハー上の微小な異物や傷であっても露光への悪影響が生じるため、洗浄プロセスの重要性が一層高まっています。

このような課題に対応するため、両社は、High NA EUV向け洗浄技術の開発に焦点を当てた契約を締結しました。これにより、IBMの半導体プロセス集積化に関する専門知識と、SCREENの最先端ウェハー洗浄装置の融合を図ります。

IBM Semiconductorsのゼネラル・マネージャー 兼IBM ハイブリッドクラウド担当バイス・プレジデントであるムケシュ・カレ（Mukesh Khare）は、次のように述べています。「AI時代に向けてより小型で高性能な半導体を開発する上で、High NA EUV技術は極めて重要です。SCREENとの協業を拡大し、IBMとそのエコシステム・パートナーがこの技術革新の恩恵を受けられるようになることを大変嬉しく思います」

SCREENセミコンダクターソリューションズ 代表取締役社長執行役員の岡本 昭彦氏は、次のように述べています。「SCREENは、High NA EUVリソグラフィーの厳しい要求に応える洗浄技術の開発において、IBMとの協業をさらに深められることを嬉しく思います。SCREENの精密洗浄技術とIBMのフルスタック開発フローを融合することで、2nm以下の製造を実現する堅牢なソリューションを提供してまいります。」

本共同開発契約を通じて、IBMとSCREENはHigh NA EUVリソグラフィーを用いた先端半導体製造における洗浄技術の開発をさらに加速し、デバイス・メーカーにとっての付加価値を最大化するソリューションを提供します。

当報道資料は、2025年9月24日（現地時間）にIBM Corporationが発表したプレスリリースの抄訳をもとにしています。原文はこちらを参照ください。

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